NAND闪存的优点在于写编程和擦除操作的速率快，而NOR的优点是具有随机存取和对字节执行写编程操作的能力见下图图2NOR的随机存取能力支持直接代码执行XiP，而这是嵌入式应用经常需要的一个功能NAND的缺点是随机。
add_mtd_partitions函数，add_mtd_partitions会对每一个新建分区建立一个新的mtd_part 结构体，将其加入mtd_partitions中，并调用add_mtd_device将此分区作为MTD设备加入mtd_table成功时返回0，如果分配mtd_part时内存。
可编程逻辑控制器，它采用一类可编程的存储器，用于其内部存储程序，执行逻辑运算顺序控制定时计数与算术操作等面向用户的指令，并通过数字或模拟式输入输出控制各种类型的机械或生产过程。
NOR技术Flash Memory具有以下特点1 程序和数据可存放在同一芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行，而无需先将代码下载至RAM中再执行2 可以单字节或单字编程。
void main char input1000int i=0，out26=0，jchar outstring26= #39A#39，#39B#39，#39C#39，#39D#39，#39E#39，#39F#39，#39G#39，#39H#39，#39I#39，#39J#39，#39K#39，#39L#39，#39M#39，#39N#39，#39O#39，#39P#39，#39Q#39，#39R#39，#39S#39，#39T#39，#39U#39。
quotquot这个是中文分号，它看上去比较大，占有2个字符宽度，一般的颜色也比较深 quotquot这个是英文的分号，颜色比较淡。
NOR就是非易失闪存存储器因为它确实是“烧”啊这个词最早是用在一次性可编程只读存储器上不同于更早的集成电路，这样的存储器出厂时是一枚空白的芯片，可以通过特殊设备写入内容怎么写高电压比方说芯片正常的。
proman编程器是相对其它支持NORNAND的编程器来说是非常实惠的一款编程器，根据本人使用的情况来说，写一些小的固件还是可以的，写一大的固件效果和体验较着，基本上超过1G的固件没写成功过，且速度不是很快我有一次克隆一。
微控制器包含一个或多个CPU处理器内核以及存储器和可编程输入输出外设铁电RAM，NOR闪存或OTPROM形式的程序存储器通常也包含在芯片上，以及少量RAM与个人计算机或其他由各种分立芯片组成的通用应用中使用的微处理器相比。
2有写保护位被设置，你需要先清除写保护位，然后再进行写操作3没有写保护位被设置，你可以检查你的写操作是否符合Flash的编程原理，即只能将1写为0，而不能将0写为4你要更新Flash中已经存在的数据，你需要先。
一定义上的区别 1Nandflash存储器是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案2NOR Flash是一种非易失闪存技术，是Intel在1988年创建二原理上的区别 1。
NAND Flash ROM以页行为单位随机存取，在容量使用寿命和成本方面有较大优势但是它的读出速度稍慢，编程较为复杂，因此大多作为数据存储器使用数码相机存储卡和u盘中的Flash均采用NANDFlashD选项错误，故本题选择D。
EEPROM电可擦除可编程只读存储器，比之EPROM就先进点了，可以用电来擦除里面对数据，也是现在用得比较多的存储器，比如24CXX系列的EEPROMNANDFLASH和NORFLASH都是现在用得比较多的非易失性闪存NOR采用的并行接口，其。
norflash不能工作故障分析步骤1闪存的使用寿命，指的是闪存中每个单元块进行重复编程和檫除的最大次数，当超出规定的最大次数，闪存就可能工作异常2闪存内的坏块处理，是指生产出的闪存并不是完美的，总会有某些比特。
NOR Flash是一种非易失闪存技术，是Intel在1988年创建是市场上两种主要的非易失闪存技术之一NOR和NAND是市场上两种主要的非易失闪存技术Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的。
NAND flash和NOR flash的区别一NAND flash和NOR flash的性能比较flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前。
