1、Nandflash内存其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了有效的解决方案Nandflash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，但其制造工艺复杂，成本较高，所以和其他Flash比起来要贵的。
2、NAND器件具有8或16位接口通过8或16位宽的双向数据总线，主数据被连接到NAND存储器在16位模式，指令和地址仅仅利用低8位，而高8位仅仅在数据传输周期使用擦除区块所需时间约为2ms一旦数据被载入寄存器，对一个页的。
3、这是由于要烧录的数据超过了芯片好块的大小，所以设置器件配置字DevConfig还应该结合芯片的实际情况，如果检查出芯片中有16个坏块，那实际的好块 ALL Blocks应该相应减去0x10 有时在读写母片时也会出现这样的。
4、读出整块数据，然后在内存中修改这45个要写入的数据后再擦除块，最后重写缓冲中的整块数据但如果是续写或是不用后边的区域就要简单得多，续写直接续就可以了，不用后边的区域可以直接擦块就写，写不完也没关系。
5、再去检查chip2，如果也是编程完了，也就可以进行接下来的其他页的编程了如此，交互操作chip1和chip2，就可以有效地利用时间，使得整体编程效率提高近2倍，大大提高Nand Flash的编程擦写速度了。
6、NAND Flash的特点就是会随机产生坏块，而且在生产的时候是允许的，这个芯片的特性，现在有些编程器可以通过坏块检测的方法来获取芯片的坏块，比如ZLG致远电子的SmartPRO 6000F就可以，如下所示。
7、有款FLASHRUNNER万用型烧录器 是意大利制造的，支持大部分芯片烧录，调试完成后比较稳定此烧录器在线烧录器，可受控此款烧录器唯一缺点是调试比较麻烦。
8、1采用一托四的结构设计，可以对四片NAND Flash同时进行烧录，烧录过程实时校验写入数据，绝对保证数据的正确，支持多种软硬件平台对NAND Flash的管理方式2支持多种软硬件平台的NAND Flash数据烧写，内置针对多种软硬件平台。
9、直接将导线连接到芯片的引脚通过查询48脚闪存资料了解显示得知，48脚闪存怎样用飞线编程固件是直接将导线连接到芯片的引脚的，在通过飞线连接编程器，进行在线读取固件。
10、Nand Flash的位反转现象，主要是由以下一些原因效应所导致1漂移效应Drifting Effects漂移效应指的是，Nand Flash中cell的电压值，慢慢地变了，变的和原始值不一样了2编程干扰所产生的错误ProgramDisturb Errors。
11、这个和你的方案设计有关系，也和NAND Flash本身的特性有关系，比如你在某些芯片的块设置了不允许坏块的规则，而这个芯片刚好在那个位置上有坏块，这样就出现了一烧录就提示出错的情况SmartPRO 6000FPLUS设置如图这种设置。
12、NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口性能比较 flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程任。
13、目前Flash主要有两种NORFlash和NANDFlashNORFlash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NORFLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本NANDFlash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以。
14、页NANDOne page = 2048Bdatafield + 64BSpare Field， One block = 64page or 128page 注块NAND FLASH所页按顺序烧写 于烧写页NAND要求页数据段2擦除间编程操作能超四附加段2擦除间编程操作能超四 于。
15、无关二者不是一码事儿 SLCMLCTLC是什么楼上说了，我就不解释了CE的定义晶圆厂广为采用堆叠Stack封装技术，将2～8或更多个裸晶圆封装在一起常见标示方式为裸晶圆数量加上CEChip Enable，如2CE。
